年別の研究成果
年別の研究成果
フィンガープリント
学部が活動している研究トピックを掘り下げます。これらのトピックラベルは、この組織のメンバーの研究成果に基づきます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。
ネットワーク
国/地域レベルにおける最近の外部共同研究。点をクリックして詳細を開くか、または
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-10 v Threshold Voltage High-Performance Normally-OFF C-Si Diamond MOSFET Formed by p+-Diamond-First and Silicon Molecular Beam Deposition Approaches
Fu, Y., Chang, Y., Kono, S., Hiraiwa, A., Kanehisa, K., Zhu, X., Xu, R., Xu, Y. & Kawarada, H., 2022 5月 1, In: IEEE Transactions on Electron Devices. 69, 5, p. 2236-2242 7 p.研究成果: Article › 査読
2 被引用数 (Scopus) -
1550 nm-Band InAs/InGaAlAs Quantum Dot Distributed Feedback Lasers Grown on InP(311)B Substrate with Side-Wall Gratings Simultaneously Fabricated with a Ridge Waveguide
Kaneko, R., Morita, R., Katsuhara, R., Yabuki, R., Matsumoto, A., Akahane, K., Matsushima, Y., Ishikawa, H. & Utaka, K., 2022 2月, In: Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. 219, 4, 2100453.研究成果: Article › 査読
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300 mA/mm Drain Current Density P-Type Enhancement-Mode Oxidized Si-terminated (111) Diamond MOSFETs with ALD Al2O3Gate Insulator
Fu, Y., Chang, Y. H., Zhu, X., Hiraiwa, A., Xu, R., Xu, Y. & Kawarada, H., 2022, 2022 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, ISPSD 2022. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., p. 121-124 4 p. (Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs; vol. 2022-May).研究成果: Conference contribution