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1989 …2017
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研究成果 1989 2017

  • 2074 引用
  • 23 h指数
  • 106 Article
  • 20 Conference contribution

Prolonged spin relaxation time in Zn-doped GaAs/GaAsP strain-compensated superlattice

Ohki, S., Jin, X., Ishikawa, T., Kamezaki, T., Yamada, K., Muto, S. & Tackeuchi, A., 2017 7 10, : : Applied Physics Letters. 111, 2, 022405.

研究成果: Article

relaxation time
electron sources
room temperature
electron spin
quantum efficiency
1 引用 (Scopus)

The striking influence of rapid thermal annealing on InGaAsP grown by MBE: material and photovoltaic device

Ji, L., Tan, M., Ding, C., Honda, K., Harasawa, R., Yasue, Y., Wu, Y., Dai, P., Tackeuchi, A., Bian, L., Lu, S. & Yang, H., 2017 1 15, : : Journal of Crystal Growth. 458, p. 110-114 5 p.

研究成果: Article

Rapid thermal annealing
Molecular beam epitaxy
annealing
Photoluminescence
Beryllium
5 引用 (Scopus)

Analysis of quantum efficiency improvement in spin-polarized photocathode

Jin, X., Ohki, S., Ishikawa, T., Tackeuchi, A. & Honda, Y., 2016 10 28, : : Journal of Applied Physics. 120, 16, 164501.

研究成果: Article

photocathodes
carrier lifetime
quantum efficiency
electron emission
superlattices

Effect of thermal annealing on electron spin relaxation of beryllium-doped In0.8Ga0.2As0.45P0.55 bulk

Wu, H., Ji, L., Harasawa, R., Yasue, Y., Aritake, T., Jiang, C., Lu, S. & Tackeuchi, A., 2016 8 1, : : AIP Advances. 6, 8, 085119.

研究成果: Article

beryllium
electron spin
annealing
relaxation time
carrier lifetime
8 引用 (Scopus)

Investigation of CuGaSe2/CuInSe2 double heterojunction interfaces grown by molecular beam epitaxy

Thiru, S., Asakawa, M., Honda, K., Kawaharazuka, A., Tackeuchi, A., Makimoto, T. & Horikoshi, Y., 2015 2 1, : : AIP Advances. 5, 2, 027120.

研究成果: Article

high energy electrons
heterojunctions
molecular beam epitaxy
electron diffraction
epitaxy