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渡邉 孝信

教授

  • 967 引用
  • 15 h指数
19972019

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研究成果

Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures/Scanning Probe Microscopy

Takahashi, T., Fujita, D., Fukidome, H., Fukui, K. I., Hibino, H., Kageshima, M., Komeda, T., Nakajima, K., Nakamura, M., Nakayama, T., Nohira, H., Sasakawa, K., Sasaki, N., Sumitomo, K., Uchihashi, T., Watanabe, T. & Yamada, Y., 2019 1 1, ： : Japanese journal of applied physics. 58, SI, SI0001.

研究成果: Editorial

公開

Effect of phonon-drag contributed seebeck coefficient on Si-Wire thermopile voltage output

Fauziah, K., Suzuki, Y., Narita, Y., Kamakura, Y., Watanabe, T., Salleh, F. & Ikeda, H., 2019 6 1, ： : IEICE Transactions on Electronics. E102C, 6, p. 475-478 4 p.

研究成果: Article

    • Evaluation of thermal conductivity characteristics in Si nanowire covered with oxide by UV Raman spectroscopy

    Yokogawa, R., Tomita, M., Watanabe, T. & Ogura, A., 2019 1 1, ： : Japanese journal of applied physics. 58, SD, SDDF04.

    研究成果: Article

    公開

    • 10μW/cm2-class high power density planar Si-nanowire thermoelectric energy harvester compatible with CMOS-VLSI technology

    Tomita, M., Oba, S., Himeda, Y., Yamato, R., Shima, K., Kumada, T., Xu, M., Takezawa, H., Mesaki, K., Tsuda, K., Hashimoto, S., Zhan, T., Zhang, H., Kamakura, Y., Suzuki, Y., Inokawa, H., Ikeda, H., Matsukawa, T., Matsuki, T. & Watanabe, T., 2018 10 25, 2018 IEEE Symposium on VLSI Technology, VLSI Technology 2018. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 巻 2018-June. p. 93-94 2 p. 8510659

    研究成果: Conference contribution

    • 1 引用 （Scopus）

    Development of interatomic potential of Ge(1-x-y)SixSny ternary alloy semiconductors for classical lattice dynamics simulation

    Tomita, M., Ogasawara, M., Terada, T. & Watanabe, T., 2018 4 1, ： : Japanese Journal of Applied Physics. 57, 4, 04FB04.

    研究成果: Article

    • 3 引用 （Scopus）