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19942019

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研究成果

Nitrogen-Terminated Diamond Surface for Nanoscale NMR by Shallow Nitrogen-Vacancy Centers

Kawai, S., Yamano, H., Sonoda, T., Kato, K., Buendia, J. J., Kageura, T., Fukuda, R., Okada, T., Tanii, T., Higuchi, T., Haruyama, M., Yamada, K., Onoda, S., Ohshima, T., Kada, W., Hanaizumi, O., Stacey, A., Teraji, T., Kono, S., Isoya, J. および1人, Kawarada, H., 2019 2 14, : : Journal of Physical Chemistry C. 123, 6, p. 3594-3604 11 p.

研究成果: Article

  • 4 引用 (Scopus)

    Resonant photocurrent at 1550 nm in an erbium low-doped silicon transistor at room temperature

    Prati, E., Celebrano, M., Ghirardini, L., Finazzi, M., Ferrari, G., Shinada, T., Gi, K., Chiba, Y., Abdelghafar, A., Yano, M. & Tanii, T., 2019 6, 2019 Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2019. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 8782962. (2019 Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2019).

    研究成果: Conference contribution

  • Room temperature resonant photocurrent in an erbium low-doped silicon transistor at telecom wavelength

    Celebrano, M., Ghirardini, L., Finazzi, M., Ferrari, G., Chiba, Y., Abdelghafar, A., Yano, M., Shinada, T., Tanii, T. & Prati, E., 2019 3 1, : : Nanomaterials. 9, 3, 416.

    研究成果: Article

    公開
  • 2 引用 (Scopus)

    Triple nitrogen-vacancy centre fabrication by C5N4H n ion implantation

    Haruyama, M., Onoda, S., Higuchi, T., Kada, W., Chiba, A., Hirano, Y., Teraji, T., Igarashi, R., Kawai, S., Kawarada, H., Ishii, Y., Fukuda, R., Tanii, T., Isoya, J., Ohshima, T. & Hanaizumi, O., 2019 12 1, : : Nature communications. 10, 1, 2664.

    研究成果: Article

    公開
  • 1 引用 (Scopus)

    GeVn complexes for silicon-based room-temperature single-atom nanoelectronics

    Achilli, S., Manini, N., Onida, G., Shinada, T., Tanii, T. & Prati, E., 2018 12 1, : : Scientific Reports. 8, 1, 18054.

    研究成果: Article

  • 3 引用 (Scopus)