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Scopus著者プロファイル
牧本 俊樹
教授
Professor 教授
,
先進理工学部
ウェブサイト
http://researchers.waseda.jp/profile/ja.28b1f8a9d1a497c4d466b7ab7f56107e.html
5863
被引用数
出典: Scopus
38
h-index
Pureの文献数とScopusの被引用数に基づいて算出されます
1984 …
2019
年別の研究成果
概要
フィンガープリント
ネットワーク
研究成果
(205)
類似のプロファイル
(2)
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フィンガープリント
Toshiki Makimotoが活動している研究トピックを掘り下げます。このトピックラベルは、この研究者の研究成果に基づきます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。
2
類似のプロファイル
bipolar transistors
Physics & Astronomy
Metallorganic vapor phase epitaxy
Engineering & Materials Science
heterojunctions
Physics & Astronomy
Heterojunction bipolar transistors
Engineering & Materials Science
gallium arsenide
Chemical Compounds
aluminum gallium nitride
Chemical Compounds
Epitaxial growth
Engineering & Materials Science
Substrates
Engineering & Materials Science
ネットワーク
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研究成果
年別の研究成果
1984
2019
5863
被引用数
38
h-index
172
Article
19
Conference article
9
Conference contribution
3
Paper
2
その他
1
Chapter
1
Comment/debate
年別の研究成果
年別の研究成果
Si doping mechanism in Si doped GaAsN
Tsukasaki, T., Hiyoshi, R., Fujita, M. &
Makimoto, T.
,
2019 5 15
,
In:
Journal of Crystal Growth.
514
,
p. 45-48
4 p.
研究成果
:
Article
›
査読
Growth temperature
Molecular beam epitaxy
Hall effect
Nitrides
Doping (additives)
Hole conduction characteristics of cubic Ti
1−x
Al
x
N
Yoshikawa, M., Toyama, D., Fujita, T., Nagatomo, N. &
Makimoto, T.
,
2018 1 1
, (Accepted/In press)
In:
Thin Solid Films.
研究成果
:
Article
›
査読
conduction
radio frequencies
ion plating
temperature dependence
Temperature
A new AlON buffer layer for RF-MBE growth of AlN on a sapphire substrate
Makimoto, T.
, Kumakura, K., Maeda, M., Yamamoto, H. & Horikoshi, Y.,
2015 7 28
,
In:
Journal of Crystal Growth.
425
,
p. 138-140
3 p.
研究成果
:
Article
›
査読
Molecular beam epitaxy
Buffer layers
Sapphire
Aluminum Oxide
sapphire
2
被引用数 (Scopus)
Effects of surface barrier layer in AlGaAs/GaAs solar cells
Urabe, H., Kuramoto, M., Nakano, T., Kawaharazuka, A.,
Makimoto, T.
& Horikoshi, Y.,
2015 6 20
,
In:
Journal of Crystal Growth.
425
,
p. 330-332
3 p.
研究成果
:
Article
›
査読
gallium arsenide
barrier layers
Solar cells
aluminum gallium arsenides
solar cells
4
被引用数 (Scopus)
Erratum: Suppression of self-heating effect in AlGaN/GaN high electron mobility transistors by substrate-transfer technology using h-BN (Applied Physics Letters (2014) 105 (193509))
Hiroki, M., Kumakura, K., Kobayashi, Y., Akasaka, T.,
Makimoto, T.
& Yamamoto, H.,
2015 1 26
,
In:
Applied Physics Letters.
106
,
4
, 049903.
研究成果
:
Comment/debate
›
査読