年単位の研究成果
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heterojunctions
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Heterojunction bipolar transistors
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ネットワーク
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研究成果 1984 2019
Si doping mechanism in Si doped GaAsN
Tsukasaki, T., Hiyoshi, R., Fujita, M. & Makimoto, T., 2019 5 15, ： : Journal of Crystal Growth. 514, p. 45-48 4 p.研究成果: Article
Hall effect
Growth temperature
Molecular beam epitaxy
Nitrides
Nitrogen
Hole conduction characteristics of cubic Ti1−xAlxN
Yoshikawa, M., Toyama, D., Fujita, T., Nagatomo, N. & Makimoto, T., 2018 1 1, (Accepted/In press) ： : Thin Solid Films.研究成果: Article
conduction
radio frequencies
temperature dependence
ion plating
hole mobility
2
引用
(Scopus)
A new AlON buffer layer for RF-MBE growth of AlN on a sapphire substrate
Makimoto, T., Kumakura, K., Maeda, M., Yamamoto, H. & Horikoshi, Y., 2015 7 28, ： : Journal of Crystal Growth. 425, p. 138-140 3 p.研究成果: Article
Aluminum Oxide
Buffer layers
Molecular beam epitaxy
Sapphire
sapphire
3
引用
(Scopus)
Effects of surface barrier layer in AlGaAs/GaAs solar cells
Urabe, H., Kuramoto, M., Nakano, T., Kawaharazuka, A., Makimoto, T. & Horikoshi, Y., 2015 6 20, ： : Journal of Crystal Growth. 425, p. 330-332 3 p.研究成果: Article
barrier layers
aluminum gallium arsenides
Solar cells
solar cells
Quantum efficiency
Erratum: Suppression of self-heating effect in AlGaN/GaN high electron mobility transistors by substrate-transfer technology using h-BN (Applied Physics Letters (2014) 105 (193509))
Hiroki, M., Kumakura, K., Kobayashi, Y., Akasaka, T., Makimoto, T. & Yamamoto, H., 2015 1 26, ： : Applied Physics Letters. 106, 4, 049903.研究成果: Article