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1984 …2019

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  • 2 同様のプロファイル

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研究成果

Si doping mechanism in Si doped GaAsN

Tsukasaki, T., Hiyoshi, R., Fujita, M. & Makimoto, T., 2019 5 15, : : Journal of Crystal Growth. 514, p. 45-48 4 p.

研究成果: Article

  • Hole conduction characteristics of cubic Ti1−xAlxN

    Yoshikawa, M., Toyama, D., Fujita, T., Nagatomo, N. & Makimoto, T., 2018 1 1, (Accepted/In press) : : Thin Solid Films.

    研究成果: Article

  • A new AlON buffer layer for RF-MBE growth of AlN on a sapphire substrate

    Makimoto, T., Kumakura, K., Maeda, M., Yamamoto, H. & Horikoshi, Y., 2015 7 28, : : Journal of Crystal Growth. 425, p. 138-140 3 p.

    研究成果: Article

  • 2 引用 (Scopus)

    Effects of surface barrier layer in AlGaAs/GaAs solar cells

    Urabe, H., Kuramoto, M., Nakano, T., Kawaharazuka, A., Makimoto, T. & Horikoshi, Y., 2015 6 20, : : Journal of Crystal Growth. 425, p. 330-332 3 p.

    研究成果: Article

  • 4 引用 (Scopus)