年別の研究成果
年別の研究成果
フィンガープリント
Toshiki Makimotoが活動している研究トピックを掘り下げます。このトピックラベルは、この研究者の研究成果に基づきます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。
- 1 類似のプロファイル
ネットワーク
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Electrical properties of heavily Si-doped GaAsN after annealing
Tsukasaki, T., Mochida, N., Fujita, M. & Makimoto, T., 2022 1月 15, In: Physica B: Condensed Matter. 625, 413482.研究成果: Article › 査読
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Correction: Photoluminescence Mechanism in Heavily Si-Doped GaAsN (Crystal Research and Technology, (2021), 56, 3, (2000143), 10.1002/crat.202000143)
Tsukasaki, T., Hiyoshi, R., Fujita, M. & Makimoto, T., 2021 11月, In: Crystal Research and Technology. 56, 11, 2100204.研究成果: Comment/debate › 査読
Open Access -
Photoluminescence Mechanism in Heavily Si-Doped GaAsN
Tsukasaki, T., Hiyoshi, R., Fujita, M. & Makimoto, T., 2021 3月, In: Crystal Research and Technology. 56, 3, 2000143.研究成果: Article › 査読
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Si doping mechanism in Si doped GaAsN
Tsukasaki, T., Hiyoshi, R., Fujita, M. & Makimoto, T., 2019 5月 15, In: Journal of Crystal Growth. 514, p. 45-48 4 p.研究成果: Article › 査読
2 被引用数 (Scopus) -
Hole conduction characteristics of cubic Ti1−xAlxN
Yoshikawa, M., Toyama, D., Fujita, T., Nagatomo, N. & Makimoto, T., 2018 8月 30, In: Thin Solid Films. 660, p. 711-714 4 p.研究成果: Article › 査読