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牧本 俊樹

教授

  • 5735 引用
  • 38 h指数
1984 …2019

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研究成果

Si doping mechanism in Si doped GaAsN

Tsukasaki, T., Hiyoshi, R., Fujita, M. & Makimoto, T., 2019 5 15, ： : Journal of Crystal Growth. 514, p. 45-48 4 p.

研究成果: Article

    • Hole conduction characteristics of cubic Ti1−xAlxN

    Yoshikawa, M., Toyama, D., Fujita, T., Nagatomo, N. & Makimoto, T., 2018 1 1, (Accepted/In press) ： : Thin Solid Films.

    研究成果: Article

    • A new AlON buffer layer for RF-MBE growth of AlN on a sapphire substrate

    Makimoto, T., Kumakura, K., Maeda, M., Yamamoto, H. & Horikoshi, Y., 2015 7 28, ： : Journal of Crystal Growth. 425, p. 138-140 3 p.

    研究成果: Article

    • 2 引用 （Scopus）

    Effects of surface barrier layer in AlGaAs/GaAs solar cells

    Urabe, H., Kuramoto, M., Nakano, T., Kawaharazuka, A., Makimoto, T. & Horikoshi, Y., 2015 6 20, ： : Journal of Crystal Growth. 425, p. 330-332 3 p.

    研究成果: Article

    • 4 引用 （Scopus）

    Erratum: Suppression of self-heating effect in AlGaN/GaN high electron mobility transistors by substrate-transfer technology using h-BN (Applied Physics Letters (2014) 105 (193509))

    Hiroki, M., Kumakura, K., Kobayashi, Y., Akasaka, T., Makimoto, T. & Yamamoto, H., 2015 1 26, ： : Applied Physics Letters. 106, 4, 049903.

    研究成果: Comment/debate