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1984 …2019
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研究成果 1984 2019

  • 5478 引用
  • 37 h指数
  • 174 Article
  • 23 Conference contribution
  • 7 Chapter

Si doping mechanism in Si doped GaAsN

Tsukasaki, T., Hiyoshi, R., Fujita, M. & Makimoto, T., 2019 5 15, : : Journal of Crystal Growth. 514, p. 45-48 4 p.

研究成果: Article

Hall effect
Growth temperature
Molecular beam epitaxy
Nitrides
Nitrogen

Hole conduction characteristics of cubic Ti1−xAlxN

Yoshikawa, M., Toyama, D., Fujita, T., Nagatomo, N. & Makimoto, T., 2018 1 1, (Accepted/In press) : : Thin Solid Films.

研究成果: Article

conduction
radio frequencies
temperature dependence
ion plating
hole mobility
2 引用 (Scopus)

A new AlON buffer layer for RF-MBE growth of AlN on a sapphire substrate

Makimoto, T., Kumakura, K., Maeda, M., Yamamoto, H. & Horikoshi, Y., 2015 7 28, : : Journal of Crystal Growth. 425, p. 138-140 3 p.

研究成果: Article

Aluminum Oxide
Buffer layers
Molecular beam epitaxy
Sapphire
sapphire
3 引用 (Scopus)

Effects of surface barrier layer in AlGaAs/GaAs solar cells

Urabe, H., Kuramoto, M., Nakano, T., Kawaharazuka, A., Makimoto, T. & Horikoshi, Y., 2015 6 20, : : Journal of Crystal Growth. 425, p. 330-332 3 p.

研究成果: Article

barrier layers
aluminum gallium arsenides
Solar cells
solar cells
Quantum efficiency