年別の研究成果
年別の研究成果
フィンガープリント
Yu Hao Changが活動している研究トピックを掘り下げます。このトピックラベルは、この研究者の研究成果に基づきます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。
- 1 類似のプロファイル
ネットワーク
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-10 v Threshold Voltage High-Performance Normally-OFF C-Si Diamond MOSFET Formed by p+-Diamond-First and Silicon Molecular Beam Deposition Approaches
Fu, Y., Chang, Y., Kono, S., Hiraiwa, A., Kanehisa, K., Zhu, X., Xu, R., Xu, Y. & Kawarada, H., 2022 5月 1, In: IEEE Transactions on Electron Devices. 69, 5, p. 2236-2242 7 p.研究成果: Article › 査読
3 被引用数 (Scopus) -
300 mA/mm Drain Current Density P-Type Enhancement-Mode Oxidized Si-terminated (111) Diamond MOSFETs with ALD Al2O3Gate Insulator
Fu, Y., Chang, Y. H., Zhu, X., Hiraiwa, A., Xu, R., Xu, Y. & Kawarada, H., 2022, 2022 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, ISPSD 2022. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., p. 121-124 4 p. (Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs; vol. 2022-May).研究成果: Conference contribution
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-400 mA mm-1Drain Current Density Normally-Off Polycrystalline Diamond MOSFETs
Zhu, X., Shao, S., Chang, Y., Zhang, R., Chung, S. Y. Y., Fu, Y., Bi, T., Huang, Y., An, K., Liu, J., Li, C. & Kawarada, H., 2022 5月 1, In: IEEE Electron Device Letters. 43, 5, p. 789-792 4 p.研究成果: Article › 査読
1 被引用数 (Scopus) -
C-Si interface on SiO2/(1 1 1) diamond p-MOSFETs with high mobility and excellent normally-off operation
Zhu, X., Bi, T., Yuan, X., Chang, Y. H., Zhang, R., Fu, Y., Tu, J., Huang, Y., Liu, J., Li, C. & Kawarada, H., 2022 8月 15, In: Applied Surface Science. 593, 153368.研究成果: Article › 査読
1 被引用数 (Scopus) -
Normally-Off Oxidized Si-Terminated (111) Diamond MOSFETs via ALD-Al2O3Gate Insulator With Drain Current Density Over 300 mA/mm
Fu, Y., Chang, Y., Zhu, X., Xu, R., Xu, Y. & Kawarada, H., 2022 8月 1, In: IEEE Transactions on Electron Devices. 69, 8, p. 4144-4152 9 p.研究成果: Article › 査読