0.98μm InGaAs/InGaP strained quantum well lasers with GaAs/InGaP superlattice optical confinement layer

M. Usami, Yuichi Matsushima

研究成果: Conference contribution

1 被引用数 (Scopus)

抄録

Improvement of internal quantum efficiency and threshold current density was demonstrated by introducing GaAs/InGaP superlattice optical confinement layer (SL-OCL) into InGaAs/InGaP strained QW lasers. Carrier confinement due to the multiple quantum barrier (MQB) effect in addition to the graded index effect in the SL-OCL was also discussed.

本文言語English
ホスト出版物のタイトルConference Digest - IEEE International Semiconductor Laser Conference
出版社IEEE
ページ137-138
ページ数2
出版ステータスPublished - 1994
外部発表はい
イベントProceedings of the 1994 14th International Semiconductor Laser Conference - Maui, HI, USA
継続期間: 1994 9 191994 9 23

Other

OtherProceedings of the 1994 14th International Semiconductor Laser Conference
CityMaui, HI, USA
Period94/9/1994/9/23

ASJC Scopus subject areas

  • 電子工学および電気工学
  • 凝縮系物理学

フィンガープリント

「0.98μm InGaAs/InGaP strained quantum well lasers with GaAs/InGaP superlattice optical confinement layer」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

引用スタイル