1 V 46 ns 16 Mb SOI-DRAM with body control technique

Ken'ichi Shimomura*, Hiroki Shimano, Fumihiro Okuda, Narumi Sakashita, Yasuo Yamaguchi, Toshiyuki Oashi, Takahisa Eimori, Masahide Inuishi, Kazutami Arimoto, Shigeto Maegawa, Yasuo Inoue, Tadashi Nishimura, Shinji Komori, Kazuo Kyuma, Akihiko Yasuoka, Haruhiko Abe

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抄録

Silicon on insulator (SOI) technology is used to fabricate a dynamic random access memory (DRAM) capable of low voltage operation. The device uses a body-pulsed sense amplifier and a body-driven equalizer to accelerate low-voltage speed while partially-depleted and fully depleted transistors are used to enhance on-state current. The device's performance is evaluated experimentally.

本文言語English
ページ(範囲)68-69
ページ数2
ジャーナルDigest of Technical Papers - IEEE International Solid-State Circuits Conference
40
出版ステータスPublished - 1997 2 1
外部発表はい
イベントProceedings of the 1997 IEEE International Solid-State Circuits Conference, ISSCC - San Francisco, CA, USA
継続期間: 1997 2 61997 2 8

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「1 V 46 ns 16 Mb SOI-DRAM with body control technique」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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