10-nm-wire fabrication in GaAs/AlGaAs MQWs by Cl2 reactive ion beam etching using SiO2 sidewall masks

H. Arimoto*, H. Kitada, Y. Sugiyama, A. Tackeuchi, A. Endo, S. Muto

*この研究の対応する著者

研究成果: Article査読

抄録

Fabrication with a 20 nm size was demonstrated in a GaAs/AlGaAs multiquantum well (MQW) structure by reactive ion beam etching (RIBE) using SiO2 sidewall masks. The sidewall width can be precisely controlled by deposition time of SiO2. Size fluctuations are accordingly reduced. This paper also describes the results of photoluminescence measurements at 77 K, including a clear blue shift in the PL spectra for 20 nm MQW wires.

本文言語English
ページ(範囲)303-306
ページ数4
ジャーナルMicroelectronic Engineering
21
1-4
DOI
出版ステータスPublished - 1993 4
外部発表はい

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  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 原子分子物理学および光学
  • 凝縮系物理学
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フィンガープリント

「10-nm-wire fabrication in GaAs/AlGaAs MQWs by Cl<sub>2</sub> reactive ion beam etching using SiO<sub>2</sub> sidewall masks」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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