1.5 μm GaInAsP/InP Distributed Reflector (DR) Lasers with SCH Structure

Isao Arima, Jong In Shim, Shigehisa Arai, Itsuro Morita, R. Somchai, Yasuharu Suematsu, Kazuhiro Komori

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抄録

Appreciably large differential quantum efficiency Ωdf with one-directional output operation was obtained in 1.5 μm distributed reflector (DR) lasers, using a thin active layer of 50 nm and the SCH structure. Ωdf of the DR lasers was experimentally confirmed to be two times that of DFB lasers cleaved from the same wafer, which indicated high efficiency and high power characteristics of DR lasers.

本文言語English
ページ(範囲)385-387
ページ数3
ジャーナルIEEE Photonics Technology Letters
2
6
DOI
出版ステータスPublished - 1990 6月
外部発表はい

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 原子分子物理学および光学
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「1.5 μm GaInAsP/InP Distributed Reflector (DR) Lasers with SCH Structure」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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