1Mb 4T-2MTJ nonvolatile STT-RAM for embedded memories using 32b fine-grained power gating technique with 1.0ns/200ps wake-up/power-off times

T. Ohsawa, H. Koike, S. Miura, H. Honjo, K. Tokutome, S. Ikeda, T. Hanyu, H. Ohno, T. Endoh

研究成果: Conference contribution

51 被引用数 (Scopus)

フィンガープリント

「1Mb 4T-2MTJ nonvolatile STT-RAM for embedded memories using 32b fine-grained power gating technique with 1.0ns/200ps wake-up/power-off times」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

Engineering & Materials Science

Chemical Compounds