2 W/mm output power density at 1 GHz for diamond FETs

M. Kasu, K. Ueda, H. Ye, Y. Yamauchi, S. Sasaki, T. Makimoto

研究成果: Article査読

102 被引用数 (Scopus)

抄録

Great improvement in the output power density of diamond FETs on a diamond homoepitaxial layer grown using a high-purity source gas is reported. For a device with a gate length of 0.1 μm and gate width of 100 μm, at 1 GHz, maximum output power density of 2.1 W/mm, maximum power gain of 10.9 dB, and power added efficiency of 31.8% were obtained.

本文言語English
ページ(範囲)1249-1250
ページ数2
ジャーナルElectronics Letters
41
22
DOI
出版ステータスPublished - 2005 12 1
外部発表はい

ASJC Scopus subject areas

  • Electrical and Electronic Engineering

フィンガープリント 「2 W/mm output power density at 1 GHz for diamond FETs」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

引用スタイル