20 Gbit/s monolithic photoreceiver consisting of a waveguide pin photodiode and HEMT distributed amplifier

K. Takahata, Y. Muramoto, H. Fukano, K. Kato, A. Kozen, O. Nakajima, S. Kimura, Y. Imai

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抄録

A monolithic photoreceiver OEIC for λ = 1.55μm consisting of a waveguide pin photodiode and an InAlAs/InGaAs HEMT distributed amplifier has been fabricated using a single-step MOVPE growth technique. It has a 3dB-down frequency of 20GHz and operates at 20Gbit/s with a sensitivity of-10.4dBm.

本文言語English
ページ(範囲)1576-1577
ページ数2
ジャーナルElectronics Letters
33
18
DOI
出版ステータスPublished - 1997 8 28
外部発表はい

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  • Electrical and Electronic Engineering

フィンガープリント 「20 Gbit/s monolithic photoreceiver consisting of a waveguide pin photodiode and HEMT distributed amplifier」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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