38-fJ/bit Direct Modulation of a 5-µm-long Active Region Membrane DBR Laser on SiO2/Si Substrate

Erina Kanno*, Koji Takeda, Takuro Fujii, Takaaki Kakitsuka, Shinji Matsuo

*この研究の対応する著者

研究成果: Conference article査読

抄録

We fabricated a 5-µm-long active region DBR laser integrated with a spot-size convertor on a SiO2/Si substrate. The device exhibits a threshold current of 51 µA, maximum fiber coupled output power of 76 µW, and 38-fJ/bit energy cost with 25.8-Gbit/s NRZ signal modulation.

本文言語English
ジャーナルConference Digest - IEEE International Semiconductor Laser Conference
DOI
出版ステータスPublished - 2021
イベント27th International Semiconductor Laser Conference, ISLC 2021 - Potsdam, Germany
継続期間: 2021 10月 102021 10月 14

ASJC Scopus subject areas

  • 原子分子物理学および光学
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「38-fJ/bit Direct Modulation of a 5-µm-long Active Region Membrane DBR Laser on SiO2/Si Substrate」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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