40-Gbit/s direct modulation of membrane buried heterostructure DFB laser on SiO2/Si substrate

Shinji Matsuo, Takuro Fujii, Koichi Hasebe, Koji Takeda, Tomonari Sato, Takaaki Kakitsuka

研究成果: Conference contribution

4 被引用数 (Scopus)

抄録

We fabricate a lateral current injection DFB laser on SiO2/Si substrate by combining direct bonding and epitaxial regrowth techniques. The device is directly modulated by 40-Gbit/s NRZ signal with a bias current of 15 mA.

本文言語English
ホスト出版物のタイトルConference Digest - IEEE International Semiconductor Laser Conference
出版社Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
ページ30-31
ページ数2
ISBN(電子版)9781479957217
DOI
出版ステータスPublished - 2014 12 16
外部発表はい
イベント2014 24th IEEE International Semiconductor Laser Conference, ISLC 2014 - Palma de Mallorca, Spain
継続期間: 2014 9 72014 9 10

出版物シリーズ

名前Conference Digest - IEEE International Semiconductor Laser Conference
ISSN(印刷版)0899-9406

Other

Other2014 24th IEEE International Semiconductor Laser Conference, ISLC 2014
国/地域Spain
CityPalma de Mallorca
Period14/9/714/9/10

ASJC Scopus subject areas

  • 原子分子物理学および光学
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「40-Gbit/s direct modulation of membrane buried heterostructure DFB laser on SiO2/Si substrate」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

引用スタイル