5. 4 mu M**2 STACKED CAPACITOR DRAM CELL WITH 0. 6 mu M QUADRUPLE-POLYSILICON GATE TECHNOLOGY.

S. Kimura*, Y. Kawamoto, N. Hasegawa, A. Hiraiwa, M. Horiguchi, M. Aoki, T. Kisu, H. Sunami

*この研究の対応する著者

研究成果: Conference contribution

8 被引用数 (Scopus)

フィンガープリント

「5. 4 mu M**2 STACKED CAPACITOR DRAM CELL WITH 0. 6 mu M QUADRUPLE-POLYSILICON GATE TECHNOLOGY.」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

Engineering & Materials Science