50-GHz-bandwidth Electro-absorption Modulator with Membrane InGaAsP Lateral p-i-n Diode on Si Platform

Tatsurou Hiraki, Takuma Aihara, Yoshiho Maeda, Takuro Fujii, Tai Tsuchizawa, Kiyoto Takahata, Takaaki Kakitsuka, Shinji Matsuo

研究成果: Conference contribution

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抄録

A 300-μm-long membrane InGaAsP electro-absorption modulator (EAM) integrated on Si-waveguide circuits exhibits a 3-dB bandwidth of 50 GHz. The EAM shows high linearity, low loss (< 4 dB), and eye openings for 112-Gbit/s PAM4 signals at wavelengths from 1570 to 1600 nm.

本文言語English
ホスト出版物のタイトル2020 European Conference on Optical Communications, ECOC 2020
出版社Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
ISBN(電子版)9781728173610
DOI
出版ステータスPublished - 2020 12
イベント46th European Conference on Optical Communications, ECOC 2020 - Virtual, Brussels, Belgium
継続期間: 2020 12 62020 12 10

出版物シリーズ

名前2020 European Conference on Optical Communications, ECOC 2020

Conference

Conference46th European Conference on Optical Communications, ECOC 2020
国/地域Belgium
CityVirtual, Brussels
Period20/12/620/12/10

ASJC Scopus subject areas

  • コンピュータ ネットワークおよび通信
  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 器械工学
  • 原子分子物理学および光学

フィンガープリント

「50-GHz-bandwidth Electro-absorption Modulator with Membrane InGaAsP Lateral p-i-n Diode on Si Platform」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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