580 v Breakdown Voltage in Vertical Diamond Trench MOSFETs with a P--Drift Layer

Jun Tsunoda, Naoya Niikura, Kosuke Ota, Aoi Morishita, Atsushi Hiraiwa, Hiroshi Kawarada

研究成果: Article査読

フィンガープリント

「580 v Breakdown Voltage in Vertical Diamond Trench MOSFETs with a P--Drift Layer」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

Engineering & Materials Science

Chemical Compounds