A 125 mm2 1 Gb NAND flash memory with 10 Mb/s program throughput

Hiroshi Nakamura*, Kenichi Imamiya, Toshihiko Himeno, Toshio Yamamura, Tamio Ikehashi, Ken Takeuchi, Kazushige Kanda, Koji Hosono, Takuya Futatsuyama, Koichi Kawai, Riichiro Shirota, Norihisa Arai, Fumitaka Arai, Kazuo Hatakeyama, Hiroaki Hazama, Masanobu Saito, Hisataka Meguro, Kevin Conley, Khandker Quader, Jian Chen

*この研究の対応する著者

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抄録

A 125 mm2 1 Gb NAND flash uses 0.13 μm CMOS. The cell is 0.077 μm2. Chip architecture is changed to reduce chip size and to realize 10.6 MB/s throughput for program and 20 MB/s for read. An on-chip page copy function provides 9.4 MB/s throughput for garbage collection.

本文言語English
ページ(範囲)82-83+411
ジャーナルDigest of Technical Papers - IEEE International Solid-State Circuits Conference
SUPPL.
出版ステータスPublished - 2002
外部発表はい
イベント2002 IEEE International Solid-State Circuits Conference - San Francisco, CA, United States
継続期間: 2002 2 32002 2 7

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「A 125 mm<sup>2</sup> 1 Gb NAND flash memory with 10 Mb/s program throughput」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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