A 1.55-μm waveband optical absorption characterization of highly-stacked InAs/InGaAlAs quantum dot structure for electro-absorption devices

N. Yamamoto, K. Akahane, T. Umezawa, Tetsuya Kawanishi

研究成果: Conference contribution

抄録

We have successfully developed a quantum dot (QD) electro-absorption device with a highly stacked InAs/InGaAlAs QD structure. A 1.55-μm waveband electro-absorption effect and a quantum confined Stark effect of approximately 22 meV under the application of a 9.0-V reverse bias voltage are clearly observed in the developed QD device.

本文言語English
ホスト出版物のタイトル2014 International Topical Meeting on Microwave Photonics / the 9th Asia-Pacific Microwave Photonics Conference, MWP/APMP 2014 - Proceedings
出版社Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
ページ93-96
ページ数4
ISBN(印刷版)9784885522901
DOI
出版ステータスPublished - 2014 12 19
外部発表はい
イベント2014 International Topical Meeting on Microwave Photonics, MWP 2014 and the 9th Asia-Pacific Microwave Photonics Conference, APMP 2014 - Sapporo, Japan
継続期間: 2014 10 202014 10 23

Other

Other2014 International Topical Meeting on Microwave Photonics, MWP 2014 and the 9th Asia-Pacific Microwave Photonics Conference, APMP 2014
国/地域Japan
CitySapporo
Period14/10/2014/10/23

ASJC Scopus subject areas

  • コンピュータ ネットワークおよび通信
  • コンピュータ サイエンスの応用
  • 電子工学および電気工学
  • 電子材料、光学材料、および磁性材料

フィンガープリント

「A 1.55-μm waveband optical absorption characterization of highly-stacked InAs/InGaAlAs quantum dot structure for electro-absorption devices」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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