A 16M SRAM with improved characteristics using DRAM technology

Yuji Kihara*, Yasushi Nakashima, Takashi Izutsu, Masayuki Nakamoto, Yasuhiro Konishi, Tsutomu Yoshihara

*この研究の対応する著者

    研究成果: Conference contribution

    5 被引用数 (Scopus)

    抄録

    A 16Mbit Low Power SRAM with 0.98um2 cells using 0.15um DRAM and TFT technology has been developed. A new type memory cell technology achieves enough low power, low cost and high soft error immunity without large investment. By these improved characteristics some customers at industrial machines and handy devices decided to use this new type of SRAM by compatibility with SRAM.

    本文言語English
    ホスト出版物のタイトル2005 IEEE Asian Solid-State Circuits Conference, ASSCC 2005
    ページ17-20
    ページ数4
    DOI
    出版ステータスPublished - 2006
    イベント1st IEEE Asian Solid-State Circuits Conference, ASSCC 2005 - Hsinchu
    継続期間: 2005 11 12005 11 3

    Other

    Other1st IEEE Asian Solid-State Circuits Conference, ASSCC 2005
    CityHsinchu
    Period05/11/105/11/3

    ASJC Scopus subject areas

    • 電子工学および電気工学
    • 電子材料、光学材料、および磁性材料

    フィンガープリント

    「A 16M SRAM with improved characteristics using DRAM technology」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

    引用スタイル