A 30-GHz band low-insertion loss and high-isolation SPDT switch IC in 120-nm SiGe HBT

Cuilin Chen, Fenfen Tuo, Xiao Xu, Toshihiko Yoshimasu

研究成果: Conference contribution

3 被引用数 (Scopus)

抄録

A 30-GHz band Single-Pole Double-Throw (SPDT) switch IC is designed, fabricated and fully evaluated in 120-nm SiGe heterojunction bipolar transistor (HBT) process. The SPDT switch IC employs diode-connected HBTs and LC resonant circuits to improve the insertion loss and isolation. The fabricated SPDT switch IC has exhibited an insertion loss of 3.3 dB, an isolation of 21.8 dB and an input-referred 1-dB compression point (P1dB) of 16 dBm at 32 GHz.

本文言語English
ホスト出版物のタイトルRFIT 2016 - 2016 IEEE International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology
出版社Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
ISBN(電子版)9781509012350
DOI
出版ステータスPublished - 2016 9 27
イベント2016 IEEE International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology, RFIT 2016 - Taipei, Taiwan, Province of China
継続期間: 2016 8 242016 8 26

出版物シリーズ

名前RFIT 2016 - 2016 IEEE International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology

Other

Other2016 IEEE International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology, RFIT 2016
国/地域Taiwan, Province of China
CityTaipei
Period16/8/2416/8/26

ASJC Scopus subject areas

  • コンピュータ ネットワークおよび通信
  • 電子工学および電気工学
  • 器械工学

フィンガープリント

「A 30-GHz band low-insertion loss and high-isolation SPDT switch IC in 120-nm SiGe HBT」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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