A new AlON buffer layer for RF-MBE growth of AlN on a sapphire substrate

T. Makimoto*, K. Kumakura, M. Maeda, H. Yamamoto, Y. Horikoshi

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抄録

A 20 nm-thick AlON buffer layer consisting of Al2O3, graded AlON, AlN, and thin Al2O3 amorphous films was used to grow AlN on a sapphire substrate by molecular beam epitaxy with radio frequency plasma for nitrogen source (RF-MBE). Mirror-smooth AlN layers were successfully obtained using this new AlON buffer layer. The total threading dislocation densities of AlN layers are comparable to those reported for the high-quality AlN layers grown by RF-MBE using the conventional low-temperature (LT) buffer layer.

本文言語English
ページ(範囲)138-140
ページ数3
ジャーナルJournal of Crystal Growth
425
DOI
出版ステータスPublished - 2015 7 28

ASJC Scopus subject areas

  • 凝縮系物理学
  • 無機化学
  • 材料化学

フィンガープリント

「A new AlON buffer layer for RF-MBE growth of AlN on a sapphire substrate」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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