抄録
A nanometer-scale nonvolatile switch composed of a solid electrolyte is <30nm and has an on-resistance <100Ω. A field programmable logic device and 1kb nonvolatile memory using the switch are demonstrated. The crossbar switch is fabricated in a 1.8V 0.18μm CMOS process.
本文言語 | English |
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ページ(範囲) | 234-235+547 |
ジャーナル | Digest of Technical Papers - IEEE International Solid-State Circuits Conference |
巻 | 47 |
出版ステータス | Published - 2003 12月 1 |
外部発表 | はい |
イベント | Digest of Technical Papers - IEEE International Solid-State Circuits Conference: Visuals Supplement - San Francisco, CA., United States 継続期間: 2003 2月 15 → 2003 2月 19 |
ASJC Scopus subject areas
- 電子材料、光学材料、および磁性材料
- 電子工学および電気工学