A PN junction-current model for advanced MOSFET technologies

Ryosuke Inagaki*, Norio Sadachika, Mitiko Miura-Mattausch, Yasuaki Inoue

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    研究成果査読

    抄録

    A PN junction current model for advanced MOSFETs is proposed and implemented into HiSIM2, a complete surface-potentialbased MOSFET model. The model includes forward diode currents and reverse diode currents, and requires a total of 13 model parameters covering all bias conditions. Model simulation results reproduce measurements for different device geometries over a wide range of bias and temperature values.

    本文言語English
    ページ(範囲)983-989
    ページ数7
    ジャーナルIEICE Transactions on Fundamentals of Electronics, Communications and Computer Sciences
    E92-A
    4
    DOI
    出版ステータスPublished - 2009

    ASJC Scopus subject areas

    • 電子工学および電気工学
    • コンピュータ グラフィックスおよびコンピュータ支援設計
    • 応用数学
    • 信号処理

    フィンガープリント

    「A PN junction-current model for advanced MOSFET technologies」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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