A Vertical Monolithic Combination of an InGaAsP/InP Laser and a Heterojunction Bipolar Transistor

T. R. Chen*, Y. Zhuang, Katsuyuki Utaka, Ya Yun Liu, Amnon Yariv

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抄録

A DH InGaAsP/InP mesa laser and a DH InGaAsP/InP mass-transport laser were successfully put together wIth an InGaAsP/InP heterojunction bipolar transistor in a vertical configuration. A laser threshold current as low as 17 mA and an output laser power of over 30 mW were achieved. Base injection current-controlled optical bistability and optical switching were demonstrated.

本文言語English
ページ(範囲)919-924
ページ数6
ジャーナルIEEE Journal of Quantum Electronics
23
6
DOI
出版ステータスPublished - 1987 6
外部発表はい

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  • 原子分子物理学および光学
  • 凝縮系物理学
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

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