Activation of a particulate Ta 3 N 5 water-oxidation photoanode with a GaN hole-blocking layer

Yusuke Asakura, Tomohiro Higashi, Hiroshi Nishiyama, Hiroyuki Kobayashi, Mamiko Nakabayashi, Naoya Shibata, Tsutomu Minegishi, Takashi Hisatomi, Masao Katayama, Taro Yamada, Kazunari Domen

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抄録

Particulate Ta 3 N 5 , a material that responds to visible light for photoelectrochemical O 2 evolution, was glued to a metallic GaN conducting layer. The electrode was able to oxidize water with 1.8-fold higher efficiency than that without GaN. The GaN layer blocked the hole current from Ta 3 N 5 to the back-contact metal layer and prevented hole-electron recombination.

本文言語English
ページ(範囲)73-78
ページ数6
ジャーナルSustainable Energy and Fuels
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DOI
出版ステータスPublished - 2018
外部発表はい

ASJC Scopus subject areas

  • 再生可能エネルギー、持続可能性、環境
  • 燃料技術
  • エネルギー工学および電力技術

フィンガープリント

「Activation of a particulate Ta <sub>3</sub> N <sub>5</sub> water-oxidation photoanode with a GaN hole-blocking layer」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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