Advanced ion implantation and rapid thermal annealing technologies for highly reliable 0.25μm dual gate CMOS

S. Shimizu*, T. Kuroi, Y. Kawasaki, T. Tsutsumi, H. Oda, M. Inuishi, H. Miyoshi

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抄録

Advanced ion implantation and rapid thermal annealing technologies are proposed to realize highly reliable 0.25μm salicided dual gate CMOS for high performance logic application. These technologies mainly consist of mixing the CoSi2/Si interface using silicon implantation, CVD-Si3N4/CVD-SiO2 sidewall spacer, nitrogen implantation in gate polysilicon and source/drain regions and rapid thermal annealing (RTA) for reduction of thermal budget.

本文言語English
ページ(範囲)64-65
ページ数2
ジャーナルDigest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology
出版ステータスPublished - 1996 1月 1
外部発表はい
イベントProceedings of the 1996 Symposium on VLSI Technology - Honolulu, HI, USA
継続期間: 1996 6月 111996 6月 13

ASJC Scopus subject areas

  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「Advanced ion implantation and rapid thermal annealing technologies for highly reliable 0.25μm dual gate CMOS」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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