Al2O3/Si3N4 insulated gate channel-doped AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors with regrown ohmic structure: Low gate leakage current with high transconductance

Narihiko Maeda*, Takashi Makimura, Chengxin Wang, Masanobu Hiroki, Toshiki Makimoto, Takashi Kobayashi, Takatomo Enoki

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フィンガープリント

「Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub> insulated gate channel-doped AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors with regrown ohmic structure: Low gate leakage current with high transconductance」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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