An 18.5ns 128Mb SOI DRAM with a floating body cell

Takashi Ohsawa*, Katsuyuki Fujita, Kosuke Hatsuda, Tomoki Higashi, Mutsuo Morikado, Yoshihiro Minami, Tomoaki Shino, Hiroomi Nakajima, Kazumi Inoh, Takeshi Hamamoto, Shigeyoshi Watanabe

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11 被引用数 (Scopus)
本文言語English
ページ(範囲)458-459+609
ジャーナルDigest of Technical Papers - IEEE International Solid-State Circuits Conference
48
出版ステータスPublished - 2005 12 6
外部発表はい
イベント2005 IEEE International Solid-State Circuits Conference, ISSCC - San Francisco, CA, United States
継続期間: 2005 2 62005 2 10

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 電子工学および電気工学

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