ANALYSIS OF SOFT ERROR IN MOS DYNAMIC RAM.

Tsutomu Yoshihara*, Satoshi Takano, Makoto Taniguchi, Horoshi Harada, Takao Nakano

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研究成果: Article査読

抄録

The soft error rate of a MOS dynamic RAM is strongly influenced by the energy spectrum of the incident alpha particles, the collecting processes of electric charges generated by them, and the critical charge of the device. These effects are clarified in the present paper and some experimental results with 65 K RAMs are described.

本文言語English
ページ(範囲)109-114
ページ数6
ジャーナルElectronics & communications in Japan
65
4
出版ステータスPublished - 1982 4
外部発表はい

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