Angle-resolved photoemission study of Ga1-xMnxAs

J. Okabayashi*, A. Kimura, O. Rader, T. Mizokawa, A. Fujimori, T. Hayashi, M. Tanaka

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抄録

Valence-band dispersions in Ga1-xMnxAs along the Γ-Δ-X line (k∥[001]) are obtained by angle-resolved photoemission spectroscopy. Compared with the spectra of GaAs, a small energy shift caused by Mn doping is observed for one of the valence bands. In addition, states are observed near the Fermi level in Ga1-xMnxAs. These states show no clear dispersions and behave like an impurity band induced by Mn doping.

本文言語English
論文番号125304
ページ(範囲)1253041-1253044
ページ数4
ジャーナルPhysical Review B - Condensed Matter and Materials Physics
64
12
出版ステータスPublished - 2001 9 15
外部発表はい

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  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 凝縮系物理学

フィンガープリント

「Angle-resolved photoemission study of Ga<sub>1-x</sub>Mn<sub>x</sub>As」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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