Array architecture of floating body cell (FBC) with quasi-shielded open bit line scheme for sub-40nm node

Katsuyuki Fujita, Takashi Ohsawa, Ryo Fukuda, Fumiyoshi Matsuoka, Tomoki Higashi, Tomoaki Shino, Yohji Watanabe

研究成果: Conference contribution

5 被引用数 (Scopus)

抄録

Cell array architecture for floating body RAM of 35nm bit line half pitch is described. The quasi-non-destructive-read-out feature of floating body cell contributes to eliminating inter-bit line coupling noise in open bit line architecture without degrading the cycle time of the RAM.

本文言語English
ホスト出版物のタイトル2008 IEEE International SOI Conference Proceedings
ページ31-32
ページ数2
DOI
出版ステータスPublished - 2008 12 24
外部発表はい
イベント2008 IEEE International SOI Conference - New Paltz, NY, United States
継続期間: 2008 10 62008 10 9

出版物シリーズ

名前Proceedings - IEEE International SOI Conference
ISSN(印刷版)1078-621X

Other

Other2008 IEEE International SOI Conference
国/地域United States
CityNew Paltz, NY
Period08/10/608/10/9

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「Array architecture of floating body cell (FBC) with quasi-shielded open bit line scheme for sub-40nm node」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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