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研究成果
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Beryllium implantation doping of silicon carbide
T. Henkel
*
, Y. Tanaka, Naoto Kobayashi, S. Nishizawa, S. Hishita
*
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研究成果
:
Chapter
概要
フィンガープリント
フィンガープリント
「Beryllium implantation doping of silicon carbide」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。
並べ替え順
重み付け
アルファベット順
Engineering & Materials Science
Beryllium
100%
Doping (additives)
78%
Silicon carbide
75%
Rutherford backscattering spectroscopy
43%
Secondary ion mass spectrometry
35%
Raman spectroscopy
31%
Temperature
28%
Structural properties
25%
Crystalline materials
24%
Annealing
23%
Graphite
23%
Chemical Compounds
Silicon Carbide
78%
Encapsulant
50%
Rutherford Backscattering Spectroscopy
44%
Secondary Ion Mass Spectroscopy
38%
Annealing
27%
Raman Spectroscopy
26%
Graphite
25%
Surface
11%