Boron δ-doped (111) diamond solution gate field effect transistors
Robert Edgington, A. Rahim Ruslinda, Syunsuke Sato, Yuichiro Ishiyama, Kyosuke Tsuge, Tasuku Ono, Hiroshi Kawarada, Richard B. Jackman*
*この研究の対応する著者
研究成果 › 査読
11
被引用数
(Scopus)