Brillouin scattering study in the GaN epitaxial layer

Y. Takagi*, M. Ahart, T. Azuhata, T. Sota, K. Suzuki, S. Nakamura

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抄録

We have investigated the elastic properties of a GaN epitaxial layer on a sapphire substrate by Brillouin scattering in the backward and 90 ° scattering geometries. A sample of high optical quality grown by the two-flow MOCVD method with a complex structure of In0.05Ga0.95N(0.05 μm)/GaN(2 μm)/sapphire was used. The weak spectra were not simple due to the boundaries and the InGaN thin film. The elastic constants of GaN were estimated and compared with those obtained from X-ray diffraction.

本文言語English
ページ(範囲)547-549
ページ数3
ジャーナルPhysica B: Condensed Matter
219-220
1-4
DOI
出版ステータスPublished - 1996 4 1

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 凝縮系物理学
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「Brillouin scattering study in the GaN epitaxial layer」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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