Brillouin scattering study of bulk GaN

M. Yamaguchi*, T. Yagi, T. Sota, T. Deguchi, K. Shimada, S. Nakamura

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抄録

High-resolution Brillouin scattering experiments have been performed for a high-quality free-standing gallium nitride (GaN) substrate. Elastic stiffness constants are reported. A comparison is made with the results of an earlier study for a GaN thin film on sapphire substrate.

本文言語English
ページ(範囲)8502-8504
ページ数3
ジャーナルJournal of Applied Physics
85
12
DOI
出版ステータスPublished - 1999 6 15

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  • 物理学および天文学(全般)

フィンガープリント

「Brillouin scattering study of bulk GaN」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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