Bulk-layout-compatible 0.18 μm SOI-CMOS technology using body-fixed partial trench isolation (PTI)

Y. Hirano, S. Maeda, T. Matsumoto, K. Nii, T. Iwamatsu, Y. Yamaguchi, T. Ipposhi, H. Kawashima, S. Maegawa, M. Inuishi, T. Nishimura

研究成果: Conference contribution

フィンガープリント

「Bulk-layout-compatible 0.18 μm SOI-CMOS technology using body-fixed partial trench isolation (PTI)」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

Engineering & Materials Science

Chemical Compounds