Carrier mobility dependence of electron spin relaxation in GaAs quantum wells

Ryota Terauchi*, Yuzo Ohno, Taro Adachi, Arao Sato, Fumihiro Matsukura, Atsushi Tackeuchi, Hideo Ohno

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抄録

We have investigated the electron mobility (μ) dependence and the electron quantized energy dependence of the electron spin relaxation time (τs) in n-type and undopcd GaAs/AlGaAs multiple quantum wells at room temperature. τS ∝ μ-1 obtained from the experimental results is consistent with the theoretical prediction based on the D'yakonov-Perel' theory.

本文言語English
ページ(範囲)2549-2551
ページ数3
ジャーナルJapanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers
38
4 B
DOI
出版ステータスPublished - 1999

ASJC Scopus subject areas

  • 工学(全般)
  • 物理学および天文学(全般)

フィンガープリント

「Carrier mobility dependence of electron spin relaxation in GaAs quantum wells」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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