Carrier spin relaxation in InGaAs/AlAsSb quantum wells

T. Nukui*, S. Gozu, T. Mozume, S. Izumi, Y. Saeki, A. Tackeuchi

*この研究の対応する著者

研究成果

抄録

We have investigated the exciton spin relaxation in InGaAs/AlAsSb quantum wells by time-resolved spin-dependent pump and probe reflectance measurements. The spin relaxation time of 1.38 μm-electron-heavy-hole excitons at 150 K is obtained to be 34-43 ps at an excitation power of 50-80 mW. The observed carrier density dependence and temperature independence of the spin relaxation time indicate that the spin relaxation mechanism is dominated by the Bir-Aronov-Pikus process.

本文言語English
ホスト出版物のタイトルPhysics of Semiconductors - 30th International Conference on the Physics of Semiconductors, ICPS-30
ページ659-660
ページ数2
DOI
出版ステータスPublished - 2011
イベント30th International Conference on the Physics of Semiconductors, ICPS-30 - Seoul, Korea, Republic of
継続期間: 2010 7 252010 7 30

出版物シリーズ

名前AIP Conference Proceedings
1399
ISSN(印刷版)0094-243X
ISSN(電子版)1551-7616

Conference

Conference30th International Conference on the Physics of Semiconductors, ICPS-30
国/地域Korea, Republic of
CitySeoul
Period10/7/2510/7/30

ASJC Scopus subject areas

  • 物理学および天文学(全般)

フィンガープリント

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