Characteristics of highly stacked InAs quantum-dot laser grown on vicinal (001)InP substrate

Kouichi Akahane, Toshimasa Umezawa, Atsushi Matsumoto, Naokatsu Yamamoto, Tetsuya Kawanishi

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抄録

We fabricate broad-area laser diodes consisting of 30-layer stacks of InAs quantum dots by using a strain-compensation technique on a vicinal (001)InP substrate. These laser diodes exhibit ground-state lasing at 1576nm in the pulsed mode with a high characteristic temperature of 111K at around room temperature (20-80 °C).

本文言語English
論文番号04EJ16
ジャーナルJapanese journal of applied physics
55
4
DOI
出版ステータスPublished - 2016 4月

ASJC Scopus subject areas

  • 工学(全般)
  • 物理学および天文学(全般)

フィンガープリント

「Characteristics of highly stacked InAs quantum-dot laser grown on vicinal (001)InP substrate」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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