Characteristics of highly stacked quantum dot laser fabricated on InP(311)B substrate

Kouichi Akahane*, Naokatsu Yamamoto, Tetsuya Kawanishi

*この研究の対応する著者

研究成果: Conference contribution

4 被引用数 (Scopus)

抄録

We fabricated broad-area laser diodes containing highly stacked InAs quantum dots by using the strain-compensation technique. The diodes exhibited laser emission at 1529 nm in the pulsed mode with a large characteristic temperature of 113K.

本文言語English
ホスト出版物のタイトルIEEE International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 2009
ページ73-74
ページ数2
DOI
出版ステータスPublished - 2009
外部発表はい
イベントIEEE International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 2009 - Newport Beach, CA, United States
継続期間: 2009 5 102009 5 14

出版物シリーズ

名前Conference Proceedings - International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
ISSN(印刷版)1092-8669

Other

OtherIEEE International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 2009
国/地域United States
CityNewport Beach, CA
Period09/5/1009/5/14

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「Characteristics of highly stacked quantum dot laser fabricated on InP(311)B substrate」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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