Characterization of APD-PIN photodiodes using InAs/InAlGaAs quantum-dot absorption layer

T. Umezawa, K. Akahane, A. Kanno, T. Kawanishi

研究成果: Conference contribution

4 被引用数 (Scopus)

抄録

We found avalanche multiplications in InAs/InAlGaAs quantum-dot PIN photodiodes, and characterized the temperature dependence of I-V curves, the multiplication factors and the RF responses.

本文言語English
ホスト出版物のタイトルCLEO
ホスト出版物のサブタイトルScience and Innovations, CLEO_SI 2013
ページCTh4J.8
出版ステータスPublished - 2013 11 18
外部発表はい
イベントCLEO: Science and Innovations, CLEO_SI 2013 - San Jose, CA, United States
継続期間: 2013 6 92013 6 14

出版物シリーズ

名前CLEO: Science and Innovations, CLEO_SI 2013

Other

OtherCLEO: Science and Innovations, CLEO_SI 2013
国/地域United States
CitySan Jose, CA
Period13/6/913/6/14

ASJC Scopus subject areas

  • コンピュータ ネットワークおよび通信
  • 電子工学および電気工学
  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 原子分子物理学および光学

フィンガープリント

「Characterization of APD-PIN photodiodes using InAs/InAlGaAs quantum-dot absorption layer」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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