Characterization of APD-PIN photodiodes using InAs/InAlGaAs quantum-dot absorption layer

T. Umezawa, K. Akahane, A. Kanno, T. Kawanishi

研究成果: Conference contribution

1 被引用数 (Scopus)

抄録

We found avalanche multiplications in InAs/InAlGaAs quantum-dot PIN photodiodes, and characterized the temperature dependence of I-V curves, the multiplication factors and the RF responses.

本文言語English
ホスト出版物のタイトル2013 Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO 2013
出版社IEEE Computer Society
ISBN(印刷版)9781557529725
出版ステータスPublished - 2013 1 1
外部発表はい
イベント2013 Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO 2013 - San Jose, CA, United States
継続期間: 2013 6 92013 6 14

出版物シリーズ

名前2013 Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO 2013

Other

Other2013 Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO 2013
国/地域United States
CitySan Jose, CA
Period13/6/913/6/14

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料

フィンガープリント

「Characterization of APD-PIN photodiodes using InAs/InAlGaAs quantum-dot absorption layer」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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