Chemical design of polysilsesquioxane as a gate insulator for organic thin-film transistors

T. Hamada*, S. Yamazaki, T. Nagase, K. Tomatsu, Y. Ueda, M. Watanabe, S. Watase, T. Tamai, T. Kobayashi, S. Murakami, H. Naito, K. Matsukawa

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抄録

We have developed polymethylsilsesquioxane (PMSQ)-type gate insulating thin films with good high resistivity and surface morphology. In addition, novel functional polysilsesquioxane gate insulator materials have been developed, which have a high-dielectric constant, photolithographic property, and hydrophobic surface by changing the chemical structure. Top-contact organic thin-film transistor (OTFTs) fabricated on polysilsesquioxane insulator using poly(3-hexyl)thiophene as an organic semiconductor exhibits good transistor property.

本文言語English
ページ1665-1668
ページ数4
出版ステータスPublished - 2008
外部発表はい
イベント15th International Display Workshops, IDW '08 - Niigata, Japan
継続期間: 2008 12月 32008 12月 5

Conference

Conference15th International Display Workshops, IDW '08
国/地域Japan
CityNiigata
Period08/12/308/12/5

ASJC Scopus subject areas

  • ハードウェアとアーキテクチャ
  • 人間とコンピュータの相互作用
  • 電子工学および電気工学
  • 電子材料、光学材料、および磁性材料

フィンガープリント

「Chemical design of polysilsesquioxane as a gate insulator for organic thin-film transistors」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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