Cone structure formation by preferred growth of random nuclei in chemical vapor deposited epitaxial silicon films

Suguru Noda*, Yuya Kajikawa, Hiroshi Komiyama

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6 被引用数 (Scopus)
本文言語English
ページ(範囲)87-89
ページ数3
ジャーナルChemical Vapor Deposition
8
3
DOI
出版ステータスPublished - 2002 5 1
外部発表はい

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  • 化学 (全般)
  • 表面および界面
  • プロセス化学およびプロセス工学

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