Critical concentrations of superconductor to insulator transition in (1 1 1) and (0 0 1) CVD boron-doped diamond

A. Kawano, H. Ishiwata, S. Iriyama, R. Okada, S. Kitagoh, M. Watanabe, Y. Takano, T. Yamaguchi, H. Kawarada*

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抄録

The superconducting transition temperatures (TC) of (1 1 1) and (0 0 1) boron-doped diamond films deposited by microwave plasma assisted chemical vapor deposition (MPCVD) are investigated in the wide boron concentration range of 1 × 1020 - 1 × 1022 cm-3. The critical boron concentrations of superconductor to insulator transition in (1 1 1) and (0 0 1) films are 3 × 1020 cm-3. TC in (1 1 1) films does not have the tendency to saturate up to 1 × 1022 cm-3, while TC in (0 0 1) films saturates.

本文言語English
ページ(範囲)S604-S607
ジャーナルPhysica C: Superconductivity and its applications
470
SUPPL.1
DOI
出版ステータスPublished - 2010 12

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  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 凝縮系物理学
  • エネルギー工学および電力技術
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フィンガープリント

「Critical concentrations of superconductor to insulator transition in (1 1 1) and (0 0 1) CVD boron-doped diamond」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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