Critical effect of nanometer-size surface roughness of a porous Si seed layer on the defect density of epitaxial Si films for solar cells by rapid vapor deposition

Kei Hasegawa*, Chiaki Takazawa, Makoto Fujita, Suguru Noda, Manabu Ihara

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抄録

Monocrystalline, low-defect density Si thin films were successfully fabricated via epitaxy with 1 minute rapid vapor deposition on a porous seed layer. Zone heating recrystallization reduced the surface roughness of the seed layer to sub-nanometer size. The critical effect of roughness on the defect density of epitaxial films was confirmed.

本文言語English
ページ(範囲)1774-1778
ページ数5
ジャーナルCrystEngComm
20
13
DOI
出版ステータスPublished - 2018

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  • 化学 (全般)
  • 材料科学(全般)
  • 凝縮系物理学

フィンガープリント

「Critical effect of nanometer-size surface roughness of a porous Si seed layer on the defect density of epitaxial Si films for solar cells by rapid vapor deposition」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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