Critical layer thickness study in In0.75Ga0.25As/In0.5Al0.5As pseudomorphic resonant tunneling diode structure grown on GaAs substrates

Shin Ichiro Gozu, Tomohiro Kita, Tomoyuki Kikutani, Syoji Yamada

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抄録

We have studied critical layer thickness (CLT) in an In0.75Ga0.25As resonant tunneling diode structure grown on a GaAs substrate via an InAlAs step-graded buffer (SGB) with two types of inverse step(IS)-SGB. We have observed red or blue shift in photoluminescence spectra and CLT change depending on SGB condition. This change reflects from the difference of residual strain InAlAs SGBs adopted here.

本文言語English
ページ(範囲)161-166
ページ数6
ジャーナルJournal of Crystal Growth
227
228
DOI
出版ステータスPublished - 2001 7月
外部発表はい

ASJC Scopus subject areas

  • 凝縮系物理学
  • 無機化学
  • 材料化学

フィンガープリント

「Critical layer thickness study in In0.75Ga0.25As/In0.5Al0.5As pseudomorphic resonant tunneling diode structure grown on GaAs substrates」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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