DC and RF performance of diamond MISFETs with alumina gate insulator

Kazuyuki Hirama*, Yoshikatsu Jingu, Masaru Ichikawa, Hitoshi Umezawa, Hiroshi Kawarada

*この研究の対応する著者

研究成果: Conference contribution

3 被引用数 (Scopus)

抄録

We fabricated diamond MISFETs on polycrystalline films using alumina gate insulator. A hole accumulation layer has been utilized as hole current channel. The hydrogen-termination was achieved by remote hydrogen plasma. The sheet resistance strongly depends on the substrate temperature during hydrogen-termination process. The polycrystalline diamond MISFETs showed high drain current density of-650 mA/mm and cut-off frequency of 42 GHz. These values are higher than those of single crystal diamond FETs ever reported.

本文言語English
ホスト出版物のタイトルSilicon Carbide and Related Materials 2007
編集者Akira Suzuki, Hajime Okumura, Kenji Fukuda, Shin-ichi Nishizawa, Tsunenobu Kimoto, Takashi Fuyuki
出版社Trans Tech Publications Ltd
ページ1349-1351
ページ数3
ISBN(印刷版)9780878493579
出版ステータスPublished - 2009 1月 1
イベント12th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ICSCRM 2007 - Otsu, Japan
継続期間: 2007 10月 142007 10月 19

出版物シリーズ

名前Materials Science Forum
600-603
ISSN(印刷版)0255-5476
ISSN(電子版)1662-9752

Conference

Conference12th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ICSCRM 2007
国/地域Japan
CityOtsu
Period07/10/1407/10/19

ASJC Scopus subject areas

  • 材料科学(全般)
  • 凝縮系物理学
  • 材料力学
  • 機械工学

フィンガープリント

「DC and RF performance of diamond MISFETs with alumina gate insulator」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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